- 产品描述
- 技术指标
- 应用案例
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产品型号：
KMP-L
产品简介：
● 当前通用的磁光克尔测试方法主要分为两种，一种是以激光和光电探测为主的MOKE高精度磁滞回线扫描，另一种是将光学成像技术与磁光克尔效应结合，形成高分辨率磁光克尔显微镜。前者具有高精度优势，但不具备空间成像能力和微区定点探测能力；后者则具有高分辨率成像和微区探测能力，但由于采用相机作为信号采集单元，探测精度不如前者；
● 低温强场微区激光克尔显微成像系统是针对二维铁磁材料磁性弱、样品尺寸小、部分样品不导电、矫顽场高、居里温度低等特性开发的一款功能强大的表征系统，该系统磁性探测精度高、能够微区定点测量和光斑位置定位、具备较高磁场和宽温区变温，可以满足大部分二维铁磁材料的磁特性表征需求。
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设备特色：
● 高分辨率磁畴成像与高精度磁滞回线扫描结合
● 垂直强磁场（1.4 T）与面内强磁场（1 T）
● 样品处温度范围：4.2 K-420 K，温度稳定性±50 mK
● 运用差分放大和锁相技术可实现单层材料磁性的精确探测
● 适用于自旋器件或微米量级材料的磁性精确测量
主要技术指标：
● 光学分辨率：450 nm
● 磁场分辨率：PID闭环反馈调节，分辨率0.05 mT
● 激光光斑：5μm
● MOKE测试：可测试面内和垂直磁各向异性样品，克尔转角分辨率≤0.5 mdeg
● 垂直磁场强度：水冷磁铁，常温1.6 T@气隙10.5 mm；低温1T@气隙24 mm
● 面内磁场强度：水冷磁铁，常温1 T@气隙18 mm；低温0.75T@气隙28 mm
● 变温范围：4.2 K~420 K
主要特点：
1.高精度微区磁光探测
能够对微米尺寸单原子层材料进行激光聚焦和高精度磁滞回线扫描
2.强磁场
垂直强磁场（1.4 T）与面内强磁场（1 T）
3.宽温区
样品处温度：5 K-420 K（液氦）；80 K-420 K（液氮）；300 K-800K（高温）
4.高温度稳定性
流量控制和热量补偿实现≤±50 mK @5 K
5.低样品振动
恒温器内部固定加外部减震，实现样品处振动<100 nm
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微米级光斑和精确定位在样品待测区域，实现微区的磁滞回线精确探测
温度4K，50X物镜观测磁畴翻转，激光测克尔转角
室温，面内样品，激光测磁滞回线，与VSM测试结果对比
磁畴观测：极向克尔效应
山西师范大学与致真合作，以“Controlled Growth of Submillimeter-ScaleCr5Te8 Nanosheets and the Domain-wall Nucleation Governed Magnetization Reversal Process”为题（DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c04200），在国际顶级期刊Nano Letters（SCI一区TOP，影响因子：10.8）上发表。
FGT二维材料 测试条件：温度5K，物镜50X，成像稳定
室温垂直样品Si/Si02/Ta(3)/Pt(3)/Co74Tb26(20)/Ta(2)，成像信号和激光信号测试测试效果
低温强场微区激光克尔显微成像系统
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